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IXTK600N04T2
IXTX600N04T2
350
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
400
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
300
250
200
V GS = 15V
10V
7V
6V
350
300
250
V GS = 15V
10V
7V
6V
5V
200
150
100
50
5V
4.5V
150
100
50
4.5V
4V
4V
0
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
350
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
2.0
V DS - Volts
Fig. 4. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
300
250
V GS = 15V
10V
7V
1.8
1.6
V GS = 10V
I D < 600A
6V
200
150
5V
1.4
1.2
100
50
0
4V
3V
1.0
0.8
0.6
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.0
V DS - Volts
Fig. 5. Normalized R DS(on) vs. Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
1.8
V GS = 10V
15V
160
External Lead Current Limit
140
1.6
T J = 175oC
120
100
1.4
80
1.2
T J = 25oC
60
40
1.0
20
0.8
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXTK80N25 功能描述:MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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